三星宣布8Gb闪存和2Gb DRAM试制成功

上网时间: 2004年09月27日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:三星电子?

韩国三星电子公司日前表示,该公司已采用60纳米制造工艺开发出8Gb容量的NAND闪存,并且利用80纳米工艺技术制造出2Gb容量的DDR2 SDRAM芯片。

然而,三星并没有透露什么时候开始销售8Gb内存。过去,三星电子确实表示过将在2004年加速生产2Gb容量的NAND闪存,并计划在2005年第一季度开始采用70纳米工艺量产4Gb容量的NAND闪存。三星公司表示,预计在2005年下半年开始使用80纳米工艺量产2Gb容量的DDR2 SDRAM。

三星电子半导体业务部总裁兼首席执行官Chang Gyu Hwang表示,““NAND闪存技术继续保持每12月密度倍增的速度。”

三星电子宣称,该公司采用60纳米工艺达到业界最小的内存单元占位(memory bit cell size),只有0.0082平方微米。

三星电子还表示,新推出一项60纳米多层单元(MLC)工艺技术,但是并没有说明是否在8Gb闪存中采用这项技术。

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