NAND闪存市场玩家骤增,密度提升价格下降15%

上网时间: 2004年07月27日? 作者:Dev Paul? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:Flash? 闪存? density?

无线和消费应用市场迅速增长,吸引了海力士(Hynix)、意法半导体(ST)和英飞凌(Infineon)等DRAM厂商也进入闪存领域,并刺激所有厂商提高闪存的存储密度和降低单位比特的成本。并且,美光(Micron)也宣布加入闪存生产,并将于今年底大批量投产。三星电子(Samsung)是NAND闪存的领导者,Toshiba/Sandisk远远的落在第二位。另外,三星电子已超过英特尔,成为总体闪存市场的领导厂商。英特尔是NOR闪存的领先厂商。

目前有两种重要的NAND闪存架构:SBC(单比特/信元)与MLC(多级信元)。MLC比较复杂,采用该架构的生产工艺通常比SBC落后一代或多代。为使产品的存储密度最大化,供应商开始在先进的工艺中采用SBC架构(三星),或者利用MLC架构(东芝)。

三星通过SBC技术在闪存市场建立了自己的领导地位。SI公司最近分析了三星的K9F2G08U0M NAND闪存,并证实了三星的说法,即三星确实是第一个推出90纳米NAND闪存的厂商。SI指出,三星的裸片尺寸为144平方毫米,距其最近的是东芝的产品--130纳米的2Gb MLC闪存,裸片面积是149平方毫米。表2中还列出了其它产品的裸片尺寸。

三星采用SBC,东芝则青睐MLC架构。MLC的一大优点在于,可以利用相对成熟的工艺实现较高的存储密度,在成本和良率方面具有优势,这方面的优势正好抵消SBC采用先进工艺所带来的裸片尺寸缩小的优势。东芝最近披露,它将推出一种4 Gb NAND闪存,采用90纳米工艺,从而把密度提高一倍。如果成功,东芝将在成本方面取得较大的优势,威胁到三星的市场垄断地位。

不论密度如何,主要的NAND闪存芯片的裸片尺寸通常为135-150mm2(表1)。当初512 Mb的裸片尺寸也与此相差不多。变化的只是单位面积上的存储容量,每代产品的密度都大约增加了一倍。闪存供应商通常试图把主要密度产品的裸片尺寸保持在150mm2以下,因为大于150mm2就会导致良率显著下降。

表2是对部分产品特点的更全面分析。在每种密度水平上,多数产品具有相当类似的特点,与所采取的架构无关。除了Hynix的HY27US08121MTIB产品,所有其它产品的裸片尺寸和密度都处于相同的区间之内。

Hynix的512 Mb HY27US08121MTIB产品,密度为6.12 Mb/mm2,与1 Gb的产品相同,预示1 Gb版本即将出现。Hynix进入NAND领域较晚,所以它采取了比较明智的策略,先从风险较小的512 Mb产品入手,而不是直奔1 Gb产品。但是,由于Hynix目前在NAND闪存市场没有地盘,所以要想取得较大的份额,将来必须付出很大的努力。考虑到它的技术和制造能力,Hynix是一匹黑马,可能夺取一些原有厂商的市场。

如表2所示,对于相同密度的器件,单位面积密度都差不多。供应商将来需要积极改善成本结构。三星抢先采用先进的90纳米工艺推出SBC架构,目前具有竞争优势。较长期来看,如果能够获得成功,采用MLC架构的供应商可能获得优势。

由于英飞凌、美光以及海力士等DRAM大玩家加入NAND闪存阵营,并且原有的厂家也进一步提升产能,业界调研公司预测,目前NAND闪存供货紧缺的状态将会在今年下半年得到改善,2005年甚至会出现轻度的供过于求的现象,因此NAND闪存的价格将会出现下降。据专业调研公司RBC Capital Markets预测,第二季度NAND闪存的ASP/Mb价格有可能下降15%,而引导此次价格下调的正是NAND闪存的领头羊三星电子。面对新加入的竞争者,三星电子将会率先通过降价来提升竞争力和市场垄断地位,其中256Mb以下的产品价格下降将会较多,从而促使NAND闪存向512Mb以上密度迁移。

孙昌旭提供部分市场信息。

作者:Dev Paul


公司存储产品经理


Semiconductor Insights

标签 NAND?? DRAM??

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