eMemory公司推新技术欲取代EPROM,引起业界广泛兴趣

上网时间: 2004年01月01日? 作者:陈得年? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:Neobit? eMemory? EPROM?

名不见经传的台湾闪存厂商eMemory技术有限公司正在迅速征服晶圆代工厂商、DRAM厂商和集成器件制造商。该公司推出的嵌入式非易失性内存据说比ROM、EPROM和闪存价格更低、灵活性更强,而且更容易扩展。

eMemory已经把它的Neobit知识产权授权给了特许半导体、力晶半导体、瑞萨科技和台积电,而且它正在与其它一些芯片制造商谈判,预期很快会签署更多的许可协议。这些公司均对eMemory产品中的这种新颖的单元结构感兴趣。这种结构具有EPROM的特点,用于存储程序数据代码,但却采用了一种简单的基于逻辑的制造工艺,可以更容易地由一个工厂转移到另一个工厂。

闪存供应商也计划把Neobit用于MCU、RFID和智能卡IC。EMemory还在力推Neobit成为CMOS图象模块中不良像素的一种修复机制,用于模拟电路中的性能调整,以及作为通用内存的冗余熔丝电路。

eMemory总裁Charles Hsu表示,虽然Neobit具有EPROM的功能,但它却尽量不与EPROM这种广泛应用的嵌入内存作其它方面的比较。“如果你把它与EPROM相提并论,人们就会认为这是一种非常复杂的工艺,价格一定很贵。”他说。“EPROM技术非常难以从一代过渡到下一代,或者由一个工厂转移到另一个工厂,以及从一种工艺过渡到一种派生工艺。”

Hsu 表示,Neobit是一种应用范围广泛的技术。它可以用于模拟、混合信号、或者高电压处理应用。他说:“你告诉我你现有所用的技术,我们就能使其适应你们的需要。”该公司开发这项技术用了将近两年的时间,于今年夏天与瑞萨科技进行了初步出带。Hsu称,这家MCU巨头采用Neobit结构的一种产品,相比原先节省了九个光罩层。eMemory亦在与特半导体进行密切合作。

如果Neobit能够实现所宣称的性能,它可能成为采用0.25和0.18微米工艺的16和32位MCU的更简单的解决方案。目前台积电和特许半导体正在用0.13微米工艺对Neobit进行验证。

与ROM不同,这种内存具有编程灵活性,厂商可以在制程之前或之后对其进行编程,这可以使MCU制造商在控制库存方面有更大的自由。Hsu估计,Neobit工艺的发展将仅比逻辑工艺发展慢三至六个月,与ROM差不多,但大大快于EPROM或闪存。“我们的目标是使其成为产业标准,并使EPROM在8英寸晶圆和小于0.25微米工艺中消失。”他说。

此外,该公司正在悄悄开发一种名为Neoflash的后续产品,针对低密度嵌入闪存应用,如DVD基带芯片。在这些应用中,把闪存做到电路板上用于代码存储仍然过于昂贵。eMemory正在为Neoflash申请专利,并保证尽快公布有关细节。该公司将在Neobit结构上增加一个擦写电路,但仍然避免使之成为一个高电压器件,因为那将使逻辑工艺复杂化。“如果Neoflash获得成功,它将成为一种革命性的技术,那时你可以用逻辑工艺嵌入闪存。”Hsu表示。

作者:陈得年

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