SST与授权华虹NEC使用0.25微米工艺闪存技术

上网时间: 2003年11月04日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:超捷半导体? SST? 冠捷?

闪存技术厂商超捷半导体(SST)与上海华虹NEC电子有限公司(HHNEC)日前宣布双方公司加强合作关系,使HHNEC能提供基于SST 0.25微米闪存技术的代工服务,此外,HHNEC还将为其客户授权SST的0.25微米闪存技术来生产ASIC、微控制器及其他产品。

根据协议,SST将开发并向在HHNEC生产的客户提供闪存技术IP核。同时依据双方2002年的声明,HHNEC仍将继续生产基于SST0.35微米工艺的产品。

“我们已成功地导入了SST的 0.35 微米闪存技术并达到满载量产。”HHNEC总裁方朋称,“闪存工艺架构适用于广泛的产品系列,我们非常高兴能进一步引进0.25微米工艺架构来继续支持并满足客户不断提升的设计层次。”

SST将向客户提供闪存技术 的IP核。优化0.25微米闪存技术,包括多种密度、记忆配置和分区尺寸以满足众多应用软件的要求。这些IP核将由SST在上海市浦东新区张江高科技园的设计团队研发。

据了解,超捷(SST)是最早进入成长快速的中国半导体产业的美国闪存公司之一,同时也据称是为中国设计业者生产嵌入式闪存的最早的供货商。超捷于2001年3月在中国成立子公司冠捷(SST China),为中国设计业者提供嵌入式闪存的设计与制造服务,同时也在中国研发并销售闪存、Flash/RAM复合型产品(combo)及嵌入式控制器等产品。

超捷(SST)的超快闪技术属于NOR型号?裂闸(split-gate)单元构架,其采用厚氧化物制程,并不需要过多生产步骤,即可生产出资料储存能力优越与高可靠度的低成本、非挥发性内存解决方案。?裂闸NOR超快闪架构提供简单、富弹性的设计,适用于高效能、高可靠度、中或小尺寸、系统内或外程序与各种不同密度的单一CMOS兼容技术。

标签 NOR??

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