DRAM种类和价格多样化,OEM厂商面临选择困难

上网时间: 2003年09月27日? 作者:郭伯斯? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:SDRAM? DRAM? DDRII?

由于DRAM供应商不断推出新的产品架构和制订新的价格,OEM厂商所面对的DRAM市场日趋复杂和分化。此外,长期作为DRAM主要消费者的PC产业也没有出现显著好转的迹象,结果促使DRAM供应商转向手机、PDA和数码相机等更有前途的市场。然而,这样又产生了一个新的问题:DRAM供应商是否有足够的产能来满足所有客户,特别是当PC产业恢复生机的时候。

市场研究公司Semico Research估计,像过去一样,台式PC、笔记本电脑和服务器市场用量将继续占DRAM出货量的约80%。如果按每个领域所消耗多少比特的内存计算,预计电脑领域的内存消费量在未来两年之内不会下降,尽管PC市场增长缓慢。随着新工艺生产线带来产品合格率的提高,以及单位比特成本的下降,PC和服务器OEM厂商预计将会增加系统中DRAM的位数,以提高其产品的性能。

Semico还认为,虽然手机、PDA和数码相机等其它领域对于DRAM的需求可能以稳健的速度增长,但没有一个领域在渴求扩大内存方面能与PC领域相提并论。这意味着,计算机领域以外的电子制造商,仍需看PC和服务器OEM厂商的脸色来调整自己的DRAM采购活动。deDios and Associates的分析师Victor deDios表示:“DRAM供应商通常只关注PC市场,而对其它市场视而不见。”

美国三星半导体公司的DRAM产品销售经理Jim Elliott表示:“我确信,根据电子数据处理(PC、工作站、笔记本电脑和服务器)市场的情况,我们的非PC客户就能了解某一种类型DRAM的适当采购价格。在你看来可能存在很多变数,如功耗和速度等不同变量,这些变量在不断地变化,如果对于任何一个变量的需求变化考虑不周,就可能付出巨大代价。”

JEDEC是制定DRAM标准的组织,过去一直致力于满足PC OEM厂商的需要。但在过去五年左右,JEDEC开始解决其它DRAM买家的需要。继美国网络设备厂商思科提出要求之后,众多其它非PC领域的OEM厂商也开始仿效。思科在1998年提出建议,要为建立内存标准出力,以满足通信交换和路由应用对内存的需求。

“DDRII的开发涉及了所有不同的产业。”ATI 的技术主管Joe Macri表示。“思科进来了,游戏机和消费产品厂商进来了,所有不同领域的厂商都参与了此事。DRAM覆盖众多的市场。”

内存厂商开始关注非PC市场需求

DRAM供应商也表示,他们开始更加注意倾听非PC客户的呼声,特别是在计算市场继续停滞不前的情况下。而且业内观察家指出,随着DRAM供应商与其最大的PC客户合作,通过在改进设计方面下功夫来创造DRAM的附加值,非PC OEM厂商也可能从中受益。

美光是全球最大的内存厂商之一,它认为在手机市场存在较大的增长潜力。“我们开始注意市场对各种非计算应用的需求情况,以及这些应用的发展情况。”该公司全球销售副总裁Mike Sadler表示。“目前一部手机大约需要6?Mb内存,而根据市场研究公司iSuppli的预测,到2007年,手机带宽和性能方面的额外需求将会导致手机内存增加至256Mb。

“目前有许多不同的领域,存在许多机会。有成长型市场,以及PDA等专业市场,它们对我们有吸引力。”内存厂商英飞凌旗下内存产品部的业务规划与项目资深经理Andreas Schaller表示。“我们预期,PC市场将是增长最慢的市场,而移动应用则需要大量内存。所以我们认为移动领域是主要增长源泉,尽管从市场份额的角度来看,移动应用仍将只占5-10%。”他说。

内存芯片种类繁多

同时,PC市场和非PC市场中的主流DRAM的种类都将不断增多。两年前才出现的先进内存SDRAM正在迅速落伍。从SDRAM向DDR RAM过渡的步伐在去年下半年加快,DDR已经达到成熟阶段,而SDRAM产量则在下降。

分析师认为,在年底以前,DDR将在DRAM单位出货量中占大多数。但DDR有好几种类型,而且速度也有不同,OEM在平衡性能和成本等因素时,选择的余地较大。“DDR目前显然是主流内存类型,但它分成好几种。”Semico的分析师Matt Godfrey表示。“266MHz的DDR达到饱和,价格处于下降趋势,但DDR333和DDR400则价格较高。这些是高端内存,具有更快的速度,价格也高于标准产品。”但Godfrey认为,DDR333和DDR400也将很快达到市场饱和,DDR333的价格已经开始显露下滑迹象。

“芯片组的支持情况是决定采用何种内存的主要决定因素之一。英特尔的Canterwood和Springdale芯片组支持单通道和双通道DDR333和DDR400。”他说。“这将导致这些内存将来成为所有应用中的标准内存。”

虽然DDR的总体产量增加,但性能较低的SDRAM则在下降。三星半导体指出,这可能导致SDRAM价格上涨达50%。但Semico预测,美光和韩国Hynix等厂商将仍然能够提供足够的SDRAM,至少在短期内可以做到这点,从而防止价格涨得那么厉害。

然而,Semico的Godfrey警告说,由于最近几年里OEM厂商具有决定性的购买优势,而DRAM制造商将不会放过每一个可以涨价的机会。这意味着OEM厂商可能会试图在DRAM供应商有能力反扑之前签定一些长期价格协议。但确定DRAM需求趋势又为OEM厂商出了一道难题,哪种DRAM将会成为主流内存,时间会在什么时候?

“如果有人考虑计划在明年推出的产品,则DDRII届时将会是主流内存,但其价格是DDR的三倍,所以采用DDRII的产品将在竞争中处于劣势。”三星的Elliott表示。

产能问题受关注

OEM厂商,特别是小批量、非PC制造商需要关注的另一个问题是:如果PC市场好转和大型PC OEM厂商对内存的需求大大增加,DRAM供应商是否具有足够的产能来满足市场对于某种具体内存的需要。

“保障供应仍然是个问题。”Technical Support Inc.的运营经理Mike Pangione表示。该公司生产用于IT基础设施的系统。“如果我在寻求50个系统订单的报价,但我没有看到所需的DRAM摆在那里,我就必须寻找别的产品。”他说。“目前拥有灵活性十分关键:不能在一棵树上吊死;如果你执迷不悟,那可能真的就死定了。”

但一家小型服务器平台制造商Einux Inc.的总裁Charles Shao却信心十足地认为,DRAM制造商为了满足大型OEM而停止向小批量客户供应产品的时代已经过去了。“整个DRAM产业已到了及时供货的时代,产能现在不是问题,而且将来也不会是问题。随着所有新建的内存工厂相继投产,几年之内产能充足。就象自来水一样,打开水龙头即可。”Shao说。

他认为,目前堆叠DRAM芯片的做法也会有助于防止出现2000年那种内存严重短缺的情况,当时一些厂商因缺乏内存而被迫削减出货量或停工。“2000年以后,通过堆叠芯片来使内存达到1Gb成为可能。当DDR流行的时候,内存也就是1Gb的水平。”Shao表示。他说,在2000年之前,当增加所必需的内存时,必须先拆除原有的内存,然后才可能对内存升级,因此导致内存总体需求大量增加。HSPACE=12 ALT="图题:DRAM按应用市场分类">

OEM厂商不再需要与采用Rambus内存的高端英特尔芯片组争夺产能,也可能有利于OEM。在决定停止支持RDRAM之后,英特尔目前在采用符合JEDEC标准的内存。但是,Rambus Inc.计划推出新的内存架构,满足专业服务器和工作站应用。该公司表示,在可预见的将来,没有计划为PC应用开发内存,但它预期,它的内存仍将是索尼Playstation游戏机的主导内存。

图形处理器厂商领导潮流

分析师和业内观察家预期,PC图形处理器制造商将继续在采用新型DRAM方面充当先锋。 “图形芯片供应商需要保证其OEM客户将来购买内存时具有多个采购渠道,以使其得到具有竞争性的内存价格。仅从这方面来考虑,图形芯片供应商就必须关注JEDEC正在干些什么。”Jon Peddie Research的分析师Jon Peddie表示。“有时为了生产高端设备,并取得带宽性能,他们将冒险采用JEDEC尚未通过但已显示强烈兴趣的内存。”

今年,全球两大PC图形芯片组供应商ATI和Nvidia采用了JEDEC尚未通过标准的新型内存。Nvidia推出了GeForce FX图形卡。它声称,这是第一款采用1GHz DDRII的消费应用。ATI也紧随其后,推出了采用DDRII的Radeon 9800 DirectX 9 VPU。

目前,Hynix、美光和三星正在开发图形DDRII内存(GDDRII)。而JEDEC尚未通过GDDRII标准,它计划在今年夏末推出相关标准。Hynix、美光、英飞凌和三星及日本的Elpida都表示,今年底,在GDDRII得到广泛应用之前,将开始生产GDDRIII的样品。

美光指出,DDR采取的是2n-预取(2n-prefetch),而GDDRIII则将提供4n-预取,在I/O端口每两个时钟周期内传送四个数据位。

作者:郭伯斯

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  • DRAM是什么意思
  • DRAM,英文全称Dynamic Random Access Memory,即动态随机存取存储器。DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。

  • 什么是SDRAM
  • SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步动态随机存储器)的简称,是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压,带宽64位,SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使RAM和CPU能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,与 EDO内存相比速度能提高50%。SDRAM基于双存储体结构,内含两个交错的存储阵列,当CPU从一个存储体或阵列访问数据时,另一个就已为读写数据做好了准备,通过这两个存储阵列的紧密切换,读取效率就能得到成倍的提高。

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