华昕电子的场效应管可提供更强的电压阻断功能

上网时间: 2003年09月18日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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华昕电子(Hi-Sincerity Microelectronics)公司推出H07N60AF系列采用TO-220FP 封装的n沟道功率场效应晶体管(FET)。该器件在不损失时间性能的前提下增强了电压阻断功能。

这些FET器件可承受雪崩和换向模式中的高能量工作条件,具有漏极-源极二极管恢复时间快速的特点。这些器件适用于电源、转换器和PWM电机控制器等高压高速交换设备,持续漏极电流7A,脉冲漏极电流18A,栅极-源极持续电压±20V,栅极-源极非重复性电压±40V。

这些器件的其它性能参数还包括总功率125W,25℃下的功率下降率为1W/℃,允许的工作温度和保存温度为-55℃到150℃。

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