RFMD六英寸晶圆生产能力获客户认证,实现成本削减

上网时间: 2003年09月10日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:RF Micro Devices? 六英寸? 晶圆制造能力?

无线通讯应用的专用射频集体电路厂商RF Micro Devices, Inc.日前宣布其已成功完成六英寸晶圆制造能力的第一项主要客户认证。在位于北卡罗来纳州格林斯伯勒的砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)制造基地,RFMD的生产能力正从四英寸晶圆过渡到六英寸晶圆。

RF Micro Devices晶圆制造业务事业部副总裁Curt Barratt指出,“向六英寸晶圆生产的转移表明了RF Micro Devices发起的主要制造成本削减计划之实现。向六英寸晶圆的转变使每块晶圆上裸晶粒的数量增加了一倍多,但每块晶圆的制程成本并无明显上升。正如晶圆直径的增大降低了半导体行业之成本,我们的GaAs 制造也将从六英寸GaAs晶圆的低生产成本中获益。

Barratt继续指出,“随着模块需求的增加以及模块生产变得更加整合化,我们预期我们GaAs HBT制程在‘产品材料单’(BOM)中的百分比将继续增加。通过降低GaAs HBT制程成本,我们希望对多种基于GaAs HBT的高速运转产品之毛利率产生积极影响。”

据悉,RFMD是有世界领先GaAs HBT制程技术的制造商,也是世界领先的功率放大器制造商,其生产的功率放大器中融入的GaAs HBT制程技术比例很大,且不断增加。

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