英特尔推出五款采用超薄堆叠技术制造的闪存芯片

上网时间: 2003年04月29日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:英特尔? Intel? 闪存?

英特尔公司近日宣布推出新的面向手机的闪存产品。这五种超薄闪存芯片具有存储空间更大、耗电更低、体积更小等优点。英特尔超薄堆叠式芯片尺寸封装(Ultra Thin Stacked Chip-Scale Packaging)技术采用了电压为1.8伏的英特尔StrataFlash无线闪存,可以帮助手机厂商在相对轻薄小巧的手机上添加数码相机、游戏和电子邮件等丰富功能。

英特尔堆叠式-CSP产品使用了新的英特尔超薄堆叠式芯片尺寸封装技术。这是一种先进的晶元薄化和封装技术,可以让封装厚度更小,堆叠更灵活。通过把高密度的英特尔Strataflash无线闪存和新的超薄堆叠式芯片尺寸封装技术结合在一起,英特尔可以提供尺寸极小、极具吸引力的堆叠产品解决方案。

这些先进的堆叠式-CSP产品可以让五层堆叠的晶片只有1.0毫米厚。这些产品可以具有×16和×32总线宽度,以及SRAM、PSRAM和LP-SDRAM功能。今年这些产品存储容量可达512 Mbits,明年将可以达到1Gbits,足够执行代码和大量数据应用,并且带有英特尔最新的多极单元(MLC)闪存。

带有1.8伏英特尔StrataFlash无线闪存的英特尔超薄堆叠式-CSP产品已可提供样品,预计在2003年第三季度开始量产。具体价格将根据具体的闪存和随机存储器组合而定,以128Mb闪存配置产品为例,最初以10,000片为单位的批量采购建议价为17.75美元(价格仅供参考)。

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