Micron为新型无线手机设计增加16M页模式闪存

上网时间: 2001年05月11日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:page-mode flash? 页模式闪存?

Micron Technology公司为了增加用于无线系统的产品,推出一种新型16M闪存结构,该结构可以按照页模格式同时进行读写操作。这种新闪存器件适用于无线设备转向性能更高、功耗更小的手机。

该闪存有两种型号--MT28F162P18FG及MT28F162P20FG,为同时进行读写操作的双条结构提供16M存储器。两种16M器件都是采用1M*16的格式安排,用Micron公司0.22微米工艺制造。

28F162P20FG异步访问时间是80ns,页访问时间为30ns,可用1.80和2.20伏两种电源供电。而28F162P18FG的异步访问时间是90ns,页访问时间则为35ns,可用1.65和1.95伏供电。这些存储器都扩大工作温度范围,可在零下40摄氏度至85摄氏度之间工作。它们还为安全代码提供一次编程空间(OTP)。

新存储器的售价接近Micron于2000年推出的触发模式16M闪存。批量达100,000片时每片售价5美元。

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