英特尔开始考虑非易失性存储器业务

上网时间: 2001年07月17日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:Intel Corp.? 英特尔公司? nonvolatile memory?

英特尔公司计划在今后进入非易失性存储器领域,并暗示将集中研发薄膜和铁电存储器,这两项技术目前正在兴起并相互竞争。英特尔的长官称,公司正在开发基于OUM和FRAM的先进芯片产品。

此外,英特尔还私下单独与其它伙伴合作,一起在这个领域开发存储器技术,合作伙伴包括Thin Film Electronics ASA和Ovonyx Inc。此外,该公司还进行其它存储器技术的研究,包括磁性RAM,不过重点仍是OUM和FRAM。

英特尔表示这些存储器技术仍处在研发阶段,而且会在几年后才会有产品上市。作为全球领先的闪存供应商,英特尔声称这些存储方案不会完全取代传统的存储器技术。但公司表示,它正在促进开发新一代的存储器技术,以便将来可满足更多的应用,如数据存储、编码存储等。

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