三星推出具有400MHz运行速度及800Mbps数据速率的DDR SRAM

上网时间: 2001年08月30日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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三星公司已经开发了一种16M DDR SRAM,它的运行速度为400MHz,数据速率高达800Mbps。该SRAM容量大,数据处理速度高,并采用FCBGA封装,适用于服务器缓存及高性能工作站。

它采用一种复杂的0.18μm逻辑工艺,有512K×36及1M×18两种配置,供电电压为2.5V或1.8V,支持高速TTL逻辑(HSTL)。

它还具有单微分HSTL时钟,可同时进行管道操作及自定时滞后写操作,具有自由运行高有效及低有效回声时钟输出引脚,及寄存器地址、burst控制、数据输入和输出引脚。这种存储器芯片还提供SDR及DDR burst读和写及可控burst计数功能,最大burst长度达4,支持隔行扫描及线性burst模式和旁路操作。

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