闪存向高密度进军,图谋RAM市场份额

上网时间: 2001年09月30日? 作者:高洁? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:内存卡?

目前,闪存存在制造成本高和存储密度低两个缺点,用于消费类产品的闪存大多为32MB和6?MB,这大大限制了闪存应用领域的拓展。闪存界正努力研究闪存新技术以提高闪存的性能,并试验各种新型工艺以降低闪存的制造成本,希望将闪存的制造成本降低到足以同RAM内存相竞争的水平,逐渐取代后者成为大容量内部数据存储媒介的第一选择,并最终取代DVD等光学媒介成为电影及其它大容量媒体文件的主流载体。闪存向高密度进军,图谋RAM市场份额_ESMCOL_1

Toshiba美国电子元器件公司(TAEC)在提高闪存容量方面迈进了一大步,近期推出了一款128MB安全数字存储卡SD-M1280。据TAEC公司闪存技术人员Doug Wong介绍,新型SD-M1280存储卡中嵌入了两枚使用0.16微米工艺制造的512Mb NAND闪存器件,能够储存高达4小时的音乐或40分钟的视频数据。“它可以满足超高密度移动存储的需要。”Wong说。该闪存卡同时还设计用于其它无线和便携式通讯应用,如PDA、数码摄像机和数码相机、MP3播放器、汽车导航系统以及电子图书等。“这些应用是NAND闪存市场的主要推动力。”Van Hees说。

据该公司称,NAND闪存的市场需求预计将飞速激增,而这一款存储卡将在该市场中占据先机。一些分析师估计,尽管NOR闪存仍会继续占据闪存主流地位,但NAND闪存将在2003年以前占据约25%的闪存市场。NOR闪存能随机存取,通常用于存储程序或像手机中现场操作类应用。而NAND闪存更适用于数码相机等图片存储类数据存储应用。由于在制造过程中NAND闪存所需的掩膜步骤较NOR闪存少,因此价格没有NOR闪存昂贵,更适用于消费类产品。据市场调研与供应链服务公司iSuppli的分析师Betsy Van Hees预测,今年NAND闪存占闪存市场收入的11%,预计2004年这一数字将达到35%。

Wong称:“目前视频流等需要大容量数据存储的应用已经面市。我们还没有将它应用于数字视频领域,但随着价格的下降和存储密度的不断提高,把数字影片存储在小小存储卡上的想法将成为可能。

TAEC的SD-M1280工作电压为2.7V至3.6V,样品现已面世,价格为149美元。据该公司称,本季度将大规模投产。

作者:高洁

标签 NAND?? NOR??

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