DRAM厂商饱经磨难前途未卜,新技术争奇斗艳力挽狂澜

上网时间: 2001年12月01日? 作者:高洁? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DRAM? FCDRAM? RLDRAM?

如同行者渴望结束疲惫的旅程,DRAM业者也在期待着:在历经去年的磨难之后,何时才可进入健康的经济轨道呢?

1995年有28家DRAM供应商;到2000年,仅剩18家。据报道,东芝公司正寻求买家以卖掉其存储器业务,资金周转不灵的Hynix半导体公司也在挣扎着企图解除债务负担。Semico研究公司分析师Sherry Garber指出,更多的合并似乎在所难免,

甚至强大的Micron科技公司也陷入泥潭,它曾被认为是最具进取心的DRAM制造商。该公司发表公告承认,在截至8月30日的上一财政年中,39亿美元的纯销售额上出现了5.21亿美元的净亏损,而前一年的数字则为:63亿美元纯销售额、15亿美元净收入。

今后的路走向何方呢?Semico预测2002年DRAM收入将有21%的增长,达到149亿美元,今年的数字则预期为123亿美元。近来的一些预测都较为乐观,不过多数分析家都认为,美国911遇袭事件对此有负面影响,其程度仍待观察。

“尽管此次袭?事件极为惨重,但我们认为它只有短期影响,美国的商业将很快步入正轨。”Garber说。她预测:在第四季度消费者信心提高、假日消费心态恢复健康以及微软成功推出XP软件之后,2002年DRAM很可能出现反弹。

PC行情仍举足轻重

一些DRAM技术问题,如延迟、总线宽度、时钟速度、配置方式、密度及成本等,仍是重要的影响因素。同时,PC仍将是DRAM最大的消费市场。

“PC、中端和高端服务器及工作站的DRAM使用量占总量的65%以上。”iSuppli公司分析师Nam Kim说,“到2005年,使用DRAM的‘大户’仍将是PC应用,包括服务器在内。”随着老式的单一速率SDRAM开始让位给高速器件,来年的电子市场将面临一次选择:使用直接Rambus DRAM还是使用双倍速率(DDR)SDRAM,亦或兼收并蓄?DRAM厂商饱经磨难前途未卜,新技术争奇斗艳力挽狂澜_ESMCOL_1

Hynix半导体公司的策略营销总监Arun Kamat预测说,DDR在2002年将主宰40-50%的DRAM市场。不过,三星半导体公司营销与业务发展副总裁Tom Quinn表示,如果直接RDRAM到明年底能够进入企业桌面机,则可能占据20%的市场,

两类产品的目标都是为了追赶一日千里的微处理器速度。微处理器速度的快速上升在CPU和主存之间造成缺口。Kamat说,主要问题在于DRAM的内部结构限制了速度的提升:它利用电荷来存储数位,因此必须每隔几个周期进行一次刷新才能保留数据。

“DRAM无法与处理器并驾齐驱。”他说,“当然,增加总线宽度可以弥补这一缺陷,满足处理器对数据读出量的要求。”

在存取方式上做文章

直接RDRAM和DDR采用不同的接口,两种设计思想都是为了能够以更高的速率读出数据。另外,DRAM开发商还在寻求解决另一个主要的带宽瓶颈,即延迟。存储器处理第一个数据存取命令的速度很慢,因此造成延迟。

供应商正采用虚拟通道(VCDRAM)、快速周期(FCRAM)、短延迟(RLDRAM)及其它技术来调整DRAM内核。总体来说,这些特种存储器预计将在2002年占有最多10%的市场,但对网络系统开发商来说它们正变得日益重要。

“对任何数值计算领域来说,延迟都是一个重要因素。设计者非常关注从DRAM读出一页数据的时间。”Elpida存储器(美国)公司销售副总裁Jim Sogas说。该公司正在推销其VCDRAM设计思想,即在存储器单元阵列和I/O总线之间采用虚拟通道或寄存器来提高速度和效率。“我们是从不同角度来解决同一问题。”Sogas说。

早在90年代中期就开发出FCRAM的富士通公司说,他们的芯片可提供25-30纳秒的数据存取速度,比标准SDRAM快一倍。重新设计的内核可在单元进行数据读写的同时,将电荷预先加载于芯片上。预加载电荷后存储单元便处于活跃状态,可随时接受新的指令。

亿恒技术公司和Micron正合作开发RLDRAM:这种结构利用存储器芯片上的内部逻辑来减少首条数据在存取指令与数据传输之间的时间延迟。“RLDRAM面向网络领域,将是一种满足特种需求的产品。”亿恒科技(北美)公司存储器产品副总裁Peter Schaefer说,“客户将决定哪一种结构最适合他们未来发展的需要。”

作者:高洁

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