三星电子为SOC超微芯片研发0.13微米技术

上网时间: 2002年01月25日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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三星电子成功地完成了0.13微米技术的开发,这一技术将成为制造下一代高速半导体芯片的关键。三星电子计划将这一技术应用到下一代SOC超微芯片的大规模生产中。

在这项新的0.13微米技术中,三星电子将运用铜连接技术。与以往常用的铝相比,铜具有低电阻和低散热的特点,是制造高性能、低耗电量的SOC超微芯片的首选基本材料。与0.18微米技术的SOC芯片相比,它的尺寸将减小一半,处理速度也提高了两倍,耗电量减少33%,这项新技术更加增强了产品的性能和成本竞争力。

此外,三星电子还拥有0.13微米铝连接技术,可应用于不同的SOC设计,从而满足市场的多种需求。同时,三星研制的世界最小的SRAM存储器为用户提供了更多的优势来享受紧密简洁的设备。

为满足不同市场对SOC设计的需求,三星电子研发了3种处理技术来。普通的处理技术可以满足所有普通的SOC的设计,中央处理器和网络设备的高速处理,以及例如移动电话和PDA等应用于移动设备的低耗电量的SOC芯片的要求。

三星电子计划于今年初将新的0.13微米技术应用于大规模生产高性能微处理器和20或20代以上的SOC设备。三星预计到2005年这种新产品的年销售额可达到10亿美元。它还计划将这种新技术应用到DRAM和闪存,从而保证下一代SOC设备的竞争实力。


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