四倍带宽存储器即将问世

上网时间: 2002年02月23日? 作者:高洁? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:Quad band memory? 四倍带宽存储器? QBM?

计算机和电信制造厂商很快就会有一种新的高速存储器接口可供选择。

这种称为四倍带宽存储器(QBM)的技术采用标准的双数据速率SDRAM器件及Kentron科技公司的场效应晶体管开关以做成双倍于DDR带宽的模块。Kentron公司CEO Bob Goodman声称,这家模块制造商正与芯片供应商ST和集成电路系统公司(ICS)合作推广QBM。

“通过结合QBM技术和标准的低成本DDR1器件,业界很快将拥有适用于未来带宽需求的DDR2存储器。”Goodman说道。

提高存储器性能的传统方法包括提高器件频率、加宽总线、减少延迟,以及增加每周期处理的数据位数。据Goodman表示,前三种方法都有极大的技术困难,需要新的基础设施,而且成本高。

QBM采用第四种方法,即维持100或133 MHz的标准频率、器件延迟及现有的6?位总线结构,因此成本低。而其每周期位数则翻了一倍。

QBM对那些需要更大带宽的公司特别有用,InQuest公司分析师Bert McComas表示。“业界面临的问题是,DDR2将成主流或应坐等DDR2a?”McComas说道。“答案就是QBM,因为它在6个月内就会面市,而且便宜。”

Kentron计划本季度付运基于QBM的模块,400MHz频率的带宽为3.2GB/s,533MHz的为4.2GB/s。去年12月份,ST已开始交付专用于QBM的开关,ICS也公布了基于QBM的RF器件。支持者声称,到2005年QBM将可为双通道应用提供6.4 GB/s的存储器带宽。

作者:高洁

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