富吉特推出小型n沟道JFET

上网时间: 2002年02月28日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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富吉特推出的FJT TF202-01 n沟道JFET尺寸为0.8×1.4×0.6mm,采用SOT-113封装,该器件比同类采用SOT-23封装的器件小50%到60%,适用于PDA和移动电话的电容式传声器中。

这种JFET的栅极-漏极电压为-20V,漏极电流为1mA。其表电流为10mA,功耗为80mW,其结温额定为125°C。

FJT TF202-01的最小击穿电压为-20V,最大断路电压为-1.5V。其正向转移导纳为1.2mS,输入电容为4.1pF。该器件可存放在-55°C到125°C的温度范围下。

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