Virage Logic推出低成本非挥发性存储器

上网时间: 2002年03月14日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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Virage Logic公司日前发表了可利用标准CMOS工艺制造、面向逻辑LSI混载的非挥发性嵌入式存储器“NOVEA”。该产品可实现信息的电擦写。首批产品为可随机存储取的“NOVEA RAM”,可实现高速数据存取及高可靠性。

NOVEA RAM读写数据的过程类似于SRAM。只要不进行擦写操作,数据可保存10年而不丢失。在特定情况下,数据甚至可永久保存。可擦写次数约为1000次。

此次发表的NOVEA存储器在存储器混载时增加的成本非常少,可以使用标准CMOS工艺制造,不需要更多的掩膜。只需一层多晶硅和标准氧化物即可构成存储单元。还可以很方便地使用最尖端的CMOS工艺。

据悉,NOVEA RAM已经可以使用台积电的0.18μm规格的标准CMOS工艺来生产。而且还可支持更微细的设计规格。

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