SST推出集成16M闪存和8M SRAM的复合存储器

上网时间: 2002年06月03日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:SST? 闪存? SRAM?

超捷微电子科技(SST)公司推出一款低耗电的复合式存储组件SST34HF1681。该组件集成16Mb双存储区(dual-bank)闪存和8Mb SRAM,并采用能节省空间的BGA封装。

过去设计人员集成8Mb SRAM与快闪存储器时,往往受限于搭配32Mb快闪存储器,但这颗新的SST34HF1681复合存储组件,可让设计人员以最适量的SRAM来进行设计,而不需增加额外的快闪存储器成本。另外,SST也整合其开发的超快闪(SuperFlash)技术,让新产品拥有整合存储组件最低功耗的优点。

由于新产品具有低功耗加上最佳化的存储器结构的特性,因此它也适用在多功能、对成本敏感的便携式装置,可运用产品包括移动电话、无线数据模组、PDA附加卡/模组、手持PC、GPS接收器及无线LAN卡。

SST34HF1681同时具有内部快速的编程/擦除速度,搭配超快闪技术的芯片小尺寸特性。它的快速编程与擦除,编程速度每字节14微秒(μs),擦除速度则每区段/区块18毫秒(ms)与整颗芯片70毫秒。

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