IR双HEXFET功率MOSFET将导通电阻降低25%

上网时间: 2002年06月04日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:IR? HEXFET? 功率MOSFET?

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出四款采用TSSOP-8封装的全新双HEXFET功率MOSFET,扩展了其便携式电子设备的功率产品系列。全新器件的导通电阻(RDS(on)) 比同类产品降低25%。

IRF7757、IRF7756、IRF7755和IRF7754四款新器件利用IR的基准MOSFET技术,实现低导通电阻,使便携式电子设备的功率系统的效率更佳,电池寿命更长。

TSSOP-8封装的体积比业内标准SO-8封装减小大约35%。IR的硅技术使更小的TSSOP-8封装能够象许多大型SO-8封装器件一样有效地运作。设计人员可以用更小的TSSOP-8器件取代SO-8器件。

IR全新12V P沟道MOSFET经特别设计,可在低至1.8V栅电压下提供低导通电阻。1.8V是便携式电子设备逻辑集成电路的操作电压,该额定栅电压无需额外的升压电路,从而简化了电路设计。

新器件经优化,适用于电池驱动的便携式设备的电池及负载管理应用,如MP3播放机、手机、数码相机、笔记本电脑及其它小型电子产品等。

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