Micron推出143MHz SyncFlash存储器样片

上网时间: 2002年06月26日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:SyncFlash Memory?

Micron Technology公司近日推出6?Mb SyncFlash存储器样片,这种第二代的6?Mb SyncFlash存储器有许多新的特点,可简化嵌入式和低功耗应用的设计并改善其性能。这些新的特点包括:143MHz SDRAM接口、x32和x16配置、FBGA、TSOP、DIMM封装选择,1.8V I/O选项、脉冲写入、与SDRAM存储控制器对接的软件命令序列。这些新特点适用于机顶盒、嵌入式PC、PDA、联网基础设备、汽车、移动声音/数据业务。

这种第二代3.3V SyncFlash存储器工作速度更高,达133MHz和143MHz。现在可提供的样片有2Megx32或4Megx16两种,采用90球状FBGA和86引脚TSOP封装。此外,Micron还为SyncFlash存储器系列加入了新的低压特性。它们针对功率优化的应用,Micron 的第二代6?Mb SyncFlash存储器还有125MHz 1.8V I/O。SyncFlash存储器采用0.15微米工艺。

Micron为设计者开发了一种与存储控制器兼容的新型软件接口。这种接口使得SynFlash存储器可在SDRAM环境即插即用。

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