不断变化的市场催生新型存储技术

上网时间: 2002年07月15日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:In-Stat/MDR? MEMS?

来自In-Stat/MDR的一项分析表明,新的存储技术正在出现,以满足不断变化的市场需求。基于MRAM、FeRAM、硫化物、聚合物、MEMS和一次性写入的3D存储技术的一些产品都正在许多公司中处于不同的开发阶段,其中一些产品已经计划在不久的将来进行商业发布。多项技术也已计划在未来的5年中开始批量出货。

In-Stat/MDR认为,尽管在存储器市场中将一项新的技术成功地商品化并不容易,但不断变化的市场需求有可能推动多项新技术的市场渗透,这些新出现的存储技术到2006年可能达到2.5亿美元的市场利润。

研究表明,在最新出现的存储技术中,只有闪速存取在市场上获得成功。尽管闪存基本上是现有EEPROM的一个变种,但它却需要近10年的时间完成从概念引入到成功面市的过程。

据In-Stat/MDR进一步分析指出,成功的技术要么是单芯片可替代两种不同芯片、要么具有超大存储容量而价格适中,或者是能够使户以同等价格获得明显受益的技术。

标签 EEPROM?? 其它??

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