IIC专题:ICSI硅成与台积电成功推出0.35微米5V SRAM

上网时间: 2001年03月22日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:硅成? SRAM?

台湾SRAM制造商硅成集成电路(ICSI)表示以0.35微米工艺制造的5V SRAM IS61C1024已经量产。这项5V SRAM 0.35微米工艺技术是硅成与台积电共同研发出的突破性科技,将化解年初5V SRAM产能吃紧的状况。

从应用面上来看,5V SRAM为OA、调制解调器、传真机、扫描仪等消费性商品的基础必备零件,而从市场需求面来说,5V SRAM 的产品生命需求将至少将延续至2003~2005年。因此,5V SRAM的长期产出,对于消费性商品有着关键性的意义。再从工艺上来看,由于高电压SRAM在工艺演进上有着相当程度的困难性,故目前市场上除了硅成成功研发出0.35微米工艺外,其余厂商多仍陷于0.45微米技术上。然而在主要晶圆厂陆续宣布在去年底开始淘汰0.45及以上微米制程政策之际,可以预见的是5V SRAM将在不久的将来呈现严重的产能吃紧状态,同时也将严重影响下游消费性商品制造厂商的产出状况。

为避免5V SRAM的严重短缺,硅成已全面采用0.35微米工艺技术来制造5V SRAM,目前皆已量产,并将同时以商业标准规格(摄氏0到70度)及工业标准规格(摄氏-40到85度)提供。

主要产品如下:IS61C1024为1Mbit 高速异步128K x 8bit 5V SRAM,速度范围为12到15奈秒,以三种封装方式提供:包括300mil SOJ (J)、400mil SOJ (K),及8mm x 20mm TSOP Type I (T) 。产品目前已量产。

IS62C1024为1Mbit 低速异步128K X 8bit 5V SRAM,速度范围为45至70奈秒,以两种封装方式提供:525mil SOP (Q) 及 8mm x 20mm TSOP Type I (T),产品目前已量产。

IS61C6?16为1Mbit 高速异步 6?K x 16bit 5V SRAM,速度范围为12到15奈秒,以两种封装方式提供:400mil TSOP Type II (T) 及400mil SOJ (K),产品目前已量产。

IS61C256AH为高速异步32K x 8bit 5V SRAM,速度范围为12到15奈秒,以两种封装方式提供:300mil SOJ (J) 及 8mmx13.4mm TSOP Type I (T)。产品目前已量产。

IS62C256为低速异步32K x 8bit 5V SRAM,速度范围为45到70奈秒,以两种封装方式提供: 330mil SOP (U)及 8mmx13.4mm TSOP Type I (T)。产品目前已量产。

该公司将参加"第六届国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China 2001)",展场位置为北京,Booth No. 107,时间从2001年3月29到30日。

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