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上网时间: 2000年12月05日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:存储器? 闪存? 闪烁存储器?

手机巨大需求刺激市场飞速发展

 

这是一个人人都需要闪存芯片的时代,因此就必需对每个供应商生产的芯片进行全面分配。目前的状况是,订货至交货的时间不能满足计划要求并且价格一直在上涨。这是一个卖方市场,几个主要的供应商都声称其销售额正稳步增长。

 

IC

Insights Inc.称,1998年个别供应商销售额的增长达到30%107%

 

分析家和供应商一致认为近期对闪存需求的增长不会停止。Fujitsu

Microelectronics Inc.的闪存产品经理Pam Ward说:“手机的产量将达到十亿部,对于如此大的数量,我们可以预见供求之间的不平衡仍会持续,这种情况会一直持续到年底并可能延续至2001年上半年。”

IC Insights预测,从1999年至2004年闪存的年收入将会有25%的年增长,而交付量将达到年19%的增长。

 

从整个行业范围来看,闪存供应商正试图增加并重新分配它们的制造能力以更好地满足需求。关键的用户伙伴正受到关注,而其它OEM制造商则不得不另辟蹊径。

 

Advanced Micro

Devices Inc.存储器部技术营销副总经理Kevin

Plouse说:“在过去三年中,你不得不在产品和产品的封装上进行创新,或大幅降低价格,以维持业务量。现在,至关重要的是与关键环节中的领先者结成伙伴并与已经采用我们设计的用户合作。”

 

困扰OEM制造商和闪存卖主的同一个供货问题是在新设计中采用EEPROMSTMicroelectronics

Inc.北美存储器营销主管Pierre Matte说:“现在市场上几个一直打算用闪存代替EEPROM的主要参与者已经改变了它们的做法,并且意识到用闪存模仿EEPROM的做法并不十分合算。”

 

此外Matte还说,消费电子装置(包括机顶盒和DVD播放机)正在采用密度更高的串行EEPROM

根据IC

Insights的分析,不久的将来EEPROM会持续稳定增长,销售额将从1999年的8.86亿美元升至2004年的10.12亿美元。这些器件的供货也很紧张,订货至交货的时间长达30周。

 

EEPROM

1999年排名

全球销售额(百万美元)

1998

1999

1.

Atmel

455

494

2.

STMicroelectronics

385

370

3.

Xicor

360

350

4.

Microchip

305

300

5.

Infineon

285

200

6.

Fairchild

75

65

 

 Flash

1999年排名

全球销售额(百万美元)

1998

1999

1.

Intel

750

1,200

2.

AMD*

565

750

3.

Fujitsu*

450

685

4.

Sharp

330

605

5.

Atmel

214

288

6.

Mitsubishi

160

246

7.

STMicroelectronics

101

209

*包括AMD?Fujitsu合资企业一半的销售额

来源:

IC Insights Inc.

7EEPROM供应商目录

 

Atmel公司

2325 Orchard Pkwy.

San Jose, Calif. 95131

(408) 441-0311

www.atmel.com

发展

尽管去年总体市场滑坡,AtmelEEPROM业务还是增加了30%。虽然产品性能的增强是改良性的而不是革命性的,Atmel在新封装方式方面作了大量工作。去年夏天,该公司推出芯片级封装高密度串行EEPROM,包括一种8脚无铅阵列封装,该封装可在SOIC封装面积中实现更高的密度。针对电池供电应用,该公司还推出一种裸片BGA封装,用于6?Kb128Kb256Kb512Kb1Mb密度的芯片。

计划

除了寻找增加产品密度的方法之外,Atmel还将针对编码覆盖和程序存储应用推出串行EEPROM产品。这些器件的容量在512Kb4Mb之间,它们用于那些需要低速小封装(8脚或更少)的应用中。今年该公司正寻求将几何尺寸从0.5微米减小到0,35微米和0.25微米。营销主管Scott

Avery说:“这是一个技术挑战,但我们认为这是可行的。”

 

Fairchild

Semiconductor Corp.

333 Western Ave.

South Portland, Maine 04106

(207) 775-8100, (800) 341-0392

www.fairchildsemi.com

发展

Fairchild来说,不管是产品还是生产量方面,1999年是满足客户需求的一年,

Fairchild正在推出一种双线、256Kb器件样品,可望本月提供量产。

存储器产品部商务营销经理Thanh

Nguyen说:“我们的用户中需要高密度EEPROM的更多些,为了回应这一趋势我们推出了这种256K产品。它在便携电话市场中被广为接受,我们注意到需求已经超出了我们的供货能力。”

Fairchild通过增加其在中国制造伙伴的生产能力来提升它的EEPROM生产能力。

计划

今年Fairchild将继续向更高密度的产品转移,并增加采用EEPROM与模拟器件相结合的RFID器件的生产。存储器产品部主管Dev

Nair说“我们打算通过减小单元尺寸将更多的位和字节装进越来越小的封装中来紧跟高密度EEPROM市场。”该公司还计划在今年下半年继续扩大生产能力。

Infineon

Technologies Corp.

1730 N. First St.

San Jose, Calif. 95112

(888) 463-4636, (408) 501-6000

www.infineon.com

 

发展

Infineon

Technologies与许多其它EEPROM供应商不同,它不销售标准分立EEPROM。九月,该公司中断了带有标准12C总线的1Kb6?Kb

EEPROM的生产,然而Infineon还在继续生产集成在保安产品和智能卡中的EEPROM。去年年底,它推出了基于该公司0.25微米技术的一系列多用途智能卡IC66Plus系列能够支持片上128KB

ROM128KB EEPROM16KB

RAM

计划

由于受到三月公开业绩的限制,Infineon

不能就其公司的计划和发展方向发表评论。

 

Microchip

Technology Inc.

2355 W. Chandler Blvd.

Chandler, Ariz. 85224

(480) 786-7200

www.microchip.com

发展

虽然去年Microchip没有推出大量的新产品,但其现有生产线的产量确实在增长。该公司已经开始关注其SOT-23封装128Kb

EEPROM的实质设计。据Microchip高级管理人员称,该产品已经成为工业控制应用设计师们熟悉的芯片。

该公司还推出了其高密度器件的一些小封装版。现在可提供TSSOP封装的128Kb器件,并且不久将可提供用于便携电话的150mil

SOIC版本256Kb EEPROM 截止于三月三十一日的1999年财政年,Microchip的销售额从上一年的3.96亿美元上升到4.06亿美元。

计划

即便面对EEPROM的市场低迷,Microchip还是继续投资研发,现在得到了回报。就在其它制造商行动迟缓之时,Microchip在今秋其美国亚利桑那州滕比厂的生产线上采用了0.5微米工艺。

Microchip计划继续在其产品目录中增加1.8V产品。微型外设产品分部营销主管Bryan

Liddiard说:“我们要提供1.8V产品,虽然它们只占我们销售额的一小部分,但它们在增长。”

 

STMicroelectronics

Inc.

10 Maguire Rd.

Bldg. 1, 3rd Fl.

Lexington, Mass. 02421

(781) 861-2650

www.st.com

发展

同上一年一样,STMicroelectronics继续向技术和封装投入资金。该公司实现了0.35微米工艺技术,继续推进新的封装方式。北美存储器营销主管Pierre

Matte说:“如果你想保持封装的不断进步,你就得迎接新技术的挑战。”

ST推出了一种SO-8封装以及芯片级封装。九月,该公司推出了M24C16-REA6T,它是首个采用SBGA

CSP封装的、用于便携消费品的串行EEPROM。十一月,ST推出了M28010-W,它是工作于2.7V3.6V电源电压的1Mb

EEPROM,用于PABX系统、电信开关以及工业可编程控制器。

计划

ST将继续向更高密度串行EEPROM转移。Matte

said说:“不久我们将推出一种1Mb的串行页模式器件,我们看到了对这种器件的需求,将来的需求是4Mb8Mb。”

 

 

Xicor

Inc.

1511

Buckeye Dr.Milpitas, Calif. 95035

(408)

432-8888

www.xicor.com

发展

Xicor认识到专注于EEPROM市场比将精力分散到EEPROM和闪存市场更适合自身发展。为了满足OEM厂商不断增长的需求,Xicor公司决定增加与海外加工厂的合作。大约一年前,Xicor公司与Yamaha公司组成合作伙伴,几个月后又增加了Sanyo公司。德国的ZMD公司最近也加入了合作团队。

"我们与这些加工厂之间的合作在近期足以支援我们,"Walter

WongEEPROM产品线经理说,"但这并不是说我们不会在将来增加生产能力。"

Xicor公司同样也增加了它的产品种类。Xicor推出了X24256X24257,它是256Kb二线EEPROM,可用于电池供电产品。它们最低工作电压达1.8V,支持业界标准工作频率为400kHz的二线接口。11月份,Xicor公司还推出了X84256-MPS

EEPROM,它是一个256Kb串行EEPROM,2.5V时数据传输率达10MHz

计划

Xicor公司计划专注于发展高密度EEPROM。"无线通信市场购买重点为高密度EEPROM,我们面向这个市场推出了许多产品。"Wong说。

 

Directory

for top-ranked Flash suppliers

Advanced

Micro Devices Inc.One AMD Pl.Sunnyvale, Calif. 94088-3453(408) 732-2400, (800)

538-8450www.amd.com

发展

AMD最大的发展是与主要客户签定了长期的合作协议。在过去的几个月内,AMDCisco

SystemSamsung电子公司无线终端部签定了三年的合约。

今年,AMD公司采用0.25微米技术,现正在生产线上引入0.18微米工艺。AMD已拿出三条生产线为国际风险合资公司ADM-Fujitsu半导体公司提供晶圆。

在新产品方面,ADM致力于高密度、低电压、双重工作产品。大多数器件工作电压为2.7V或1.8VADM已经开发供应它首块4V

6?Mb产品。

计划

如何迅速增加生产能力是AMD公司最大的挑战。"每天我们都在寻找增加生产能力和利用高产量来解决客户难题的办法,"AMD存储器集团技术市场部副总裁Kevin

Plouse说。AMD公司将继续向低电压高性能接口方向发展,他还补充道。

 

Atmel

Corp.

2325

Orchard Pkwy.

San

Jose, Calif. 95131(408) 441-0311www.atmel.com

发展

Atmel公司去年为满足供货需求对生产能力做了重大改进。Atmel对法国Rousset工厂现有设备加装了分档器,同时在德州Irving获得了650,000平方英尺8-in的晶圆设备。

5月份,Atmel发布了ATAT49BN1604AT49BP1604样品,它们是突发模式16Mb并行读写闪存。Atmel也开始提供32Mb

AT45系列DataFlash系列闪存样品。这种器件针对数据存储市场,提供了小页面尺寸(26?字节到528字节)、双工内部RAM缓冲器、简单串行接口、灵活的指令等特性。

计划

Atmel公司在未来的一年内,将开展与以往一样的业务。Atmel公司将持续致力于突发模式flash产品。Atmel计划在今后的18个月里闪存将产量翻番。德州Richardson的新工厂将在年末开始生产晶圆。

 

Fujitsu

Microelectronics Inc.

3545

N. First St.San Jose, Calif. 95134

(408)

922-9000, (800) 866-8608

www.fujitsumicro.com

发展

Fujitsu致力于生产小封装低功耗闪存等大容量器件。Fujitsu公司已经减少了2Mb、4Mb、

8

Mb器件的生产,以便全力以赴供应16Mb、32Mb和6?Mb闪存。Fujitsu同时还为移动电话应用推出了16Mb产品,它将SRAMNOR

闪存堆叠在标准56脚BGA封装内。

Fujitsu公司也向增加需求方向发展,尤其当它与AMD组成AMD-Fujitsu风险投资公司后。

Fujitsu称,此公司成立后其生产能力几乎扩大了三倍,但业界需求还大于此增长。

计划

Fujitsu计划扩展自己的堆叠封装方案达到包括三个MCP器件。"虽然我们没有生产,但我们正在为之努力,"市场和战略联系部副总裁John

McElory说,"我们正在与手机市场齐头并进,我们同时也对PDA和机顶盒等应用很感兴趣。"

尽管大多数Fujitsu产品加工工艺为0.35微米,但Fujitsu公司计划明年转向0.25微米,并开始少量生产0.18微米产品。

 

Intel

Corp.

2200

Mission College Blvd.Santa Clara, Calif. 95902-8119

(800)

628-8686, (916) 356-3104

www.intel.com

发展

Intel公司今年推出系列闪存器件。9月,Intel公司发布了1.8V双面闪存。据Intel宣称,它是一款高性能代码执行和数据存储器件。这种器件容量达32Mb,使它适用于移动电话和其它一些手持设备。

8月,Intel公司发布了StrateFlash

3V版本。据Intel称它比以往版本读取性能提高了三倍。它采用了0.25微米制成工艺,这种单层高密度128Mb芯片既适用于程序执行,又适于数据存储。

计划

Intel公司声称,新型页面模式特性使有效读时间为44ns,可为手持设备、小型电话、PC外设、网络设备、机顶盒和其它一些Internet接入应用降低数据访问时间。

 

Mitsubishi

Electronics America Inc.

Electronic

Device Group1050 E. Arques Ave.Sunnyvale, Calif. 94086

(408)

730-5900

www.mitsubishichips.com

发展

Mitsubishi推出了系列采用DINOR

flash技术的产品。早在1999年,Mitsubishi就推出了两款集成了闪存和低功耗SRAM(LPSRAM)表面贴装CSP封装器件。它将16Mb闪存和2Mb或4Mb

LRSRAM结合在一起,用于无线手持设备和GPS系统。

9月,Mitsubishi公司推出4区32Mb

NIDOR闪存构架,其中2个区可字节编程,另2个可进行页编程。12月,Mitsubishi推出了M30624

flash16位微控制器。

计划

今年,Mitsubishi将开始为消费品市场供应256Mb

flash样品。此器件目前可提供样品,大约到年底可全面供货。Mitsubishi公司将继续供应将SRAMflash整合在一块芯片内层叠CSP

 

Sharp

Microelectronics of the Americas

5700 NW Pacific Rim Blvd.Camas, Wash. 98607

(360)

834-2500

www.sharpsma.com

发展

Sharp微电子公司建成日本Fukuyama新厂区,扩展生产能力达每月30,000片。"我们已经流水线化我们的产品并将它移植到较低工艺的产线,"IC制成部经理说,"这样便可使工艺达0.25微米甚至0.18微米。"

8月,Sharp公司推出最新堆叠芯片封装,其尺寸为8mm×11mm,内部包含了32Mb闪存和4Mb

SRAMSharp公司已经开始供应读数据时间为50ns的16Mb闪存芯片。据Sharp公司宣称,这种芯片数据读出时间比传统芯片快一倍。

Sharp公司还与Source

Electronics,Hollis,N.H.公司签署了一系列合约,以便为PLD器件提供增值服务。

计划

Sharp公司最近几个月主要集中精力来满足供货。"我们将持续控制配货,以便满足战略客户需求,"Tuhn说,"对半导体厂商来说,分配永远不会是一件愉快的事情,因此,我们短期战略是尽量增加现有工厂出货能力,甚至购买加工厂来增进我们总体产量。"

另外,Sharp公司将开发6?Mb

flash 芯片,并将产品由对称器件转向引导块(boot-block)器件.

 

STMicroelectronics

Inc.

1310

Electronics Dr.Carrollton, Texas 75006

(972)

466-6000

www.st.com

发展

甚至当flash市场在低迷时期,STCatania,Sicily就已经有新型8-in晶圆制造厂。在今年第一季度,此公司flash供货已达1998全年数量,北美存储器部市场部经理Pierre

Matte说。

ST公司去年最抢眼的的产品是32Mb1.8V

flash器件。"我们希望此器件成为低电压应用的首选。"Matte说,并补充道,计划在今年晚些时候将推出6?Mb版本。

计划

明年,ST将增加flash产量。第二季度,ST公司计划在意大利米兰采用新型晶圆设备扩展它们的加工能力,年底在Catania的工厂生产能力将翻番。

ST公司在年底将它的生产工艺由现在的0.25微米升至0.18微米。"今年,我们大多数产品将采用0.18微米工艺。"Matte说,"我们最大的挑战是设法提高我们的产量,并按计划引入先进的生产工艺来完成目标,在2002年成为世界前两大供应商之一。

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