DRAM

上网时间: 2000年10月26日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DRAM? 动态随机存取存储器? 存储器?

不久前,DRAM市场还在围绕“平原香草”DRAM转动。但现在,供应商们正全力以赴追赶新的DRAM技术,如双倍数据率、RambusPC100

“用户希望能够对DRAM进行选择,以更好适应他们的应用。今天,DRAM已有四种主要的结构,另外还有专用和图形DRAM,”位于爱达荷州

BoiseMicron技术公司的DRAM销售主管Jeff

Mailloux说,“市场上最大的挑战是如何发现正确的产品组合并创建资源来支持它。”

DRAM的需求,如同几乎所有半导体产品一样,已经超过供给。“现在DRAM方面的总体形势是,对我们每个产品系列的需求都已经超过我们能够宽裕地供给的程度,”位于加利福尼亚SunnyvaleMitsubishi电子公司的销售助理副总裁Cecil

Conkle说,“我们预计,从今年年中期开始,今后的几年内供应都将紧张。”

大部分种类产品的交付周期仍保持在数星期的水平。

Semico调查公司称,今后几年,DRAM市场将经历一次增长?潮。而Phoenix调研公司预计,全球DRAM的销售收入将从1999年的207.1亿美元增长到2000年的305.6亿美元,2001年将增长到418.9亿美元,到2004年则为778.4亿美元。

去年平均销售价格上升,现已回到历史性的下降趋势,在一季度下降了4.2%,半导体工业协会最近的一份研究报告说。

“价格有过短时间的上涨,但那是由于台湾地震。”位于San

JoseFujitsu微电子公司的市场和战略关系副总裁John

McElroy说。

DRAMs

1999年排名

全球销售(10亿美元)

1998

1999

1.

Samsung

3.30

4.77

2.

Hyundai

2.09

3.92

3.

Micron

1.30

3.33

4.

NEC

1.40

2.01

5.

Infineon

1.01

1.63

6.

Toshiba

0.71

1.49

7.

Mitsubishi

1.00

0.88

8.

Fujitsu

0.50

0.55

9.

Hitachi

0.92

0.50

10.

Oki

0.25

0.48

资料来源:

Semico Research Corp.

 

排名领先的DRAM供应商名录:

 

Fujitsu Microelectronics Inc.

3545 N. First St.

San Jose, Calif. 95134

(408) 922-9000

www.fujitsumicro.com

进展

Fujitsu已将其DRAM的重点从PC主存储器转到更为专用存储器。“我们正在尝试为多种当前和正在出现的应用需求进行定位,这些应用对存储器的要求是不同的,”市场和战略关系副总裁John

McElroy说,“鉴于此,我们正在讨论的是更快的周期时间,更好的RA时间和更低的功耗。”

1月份,该公司宣布已可提供Fast

Cycle RAM (FCRAM)的样品,这是一种面向图形和网络的6?位专用存储器,现已可批量供货。这种带有双倍数据率接口的6?位的FCRAM(DDR)具有200MHz的时钟速度、DDL控制输出和每个插脚400Mbps的数据传输率。Fujitsu还说,该公司已转向使用该公司推出的面向下(FACE-DOWN)、小间距GGA封装技术,GGA是为高密度和高速存储器产品开发的低成本、占用面积小的封装。这种85针的器件是为128

Mbit DDR SDRM设计的,同时,还有一种74针型号的产品可以使72

Mbit RDRAM的传输率达到800 MHz

计划

今年晚些时候,Fijitus将推出该公司FCRAM128256Mbit型号的产品,它们针对网络和服务器应用。

 

Hitachi Semiconductor (America) Inc.

179 E. Tasman Dr.

San Jose, Calif. 95134

(800) 285-1601

www.hitachi.com/semiconductor

进展

去年, Hitachi将其DRAM业务变为一个独立的虚拟公司。自那时起,此公司推出多种DRAM

其中包括多种主要用于高端服务器方面的产品。在7月份,该公司推出了256Mbit

DDR SDRAM,据称这种产品在与6?位总线一同使使用时可以提供2.1G字节/秒的带宽。

9月,该公司推出了业界第一个512Mbit

SDRAM,它可以在一个单个封装内装入6?

Mbyte, 另外还推出一种144Mbit(8M×18)Direct

Rambus DRAM。之后在12月,此公司又推出了用于工作站、服务器和高端PC12256MbyteDDR

DIMM

Hitachi已在去年全面转用0.18微米工艺,并将在今后数月内转向0.15微米技术。“

我们很快就发布世界最小的256Mbit器件。”DRAM部门高级副总裁Ron

Bechtold说。该公司目前正进行工作以完成去年宣布的,与NEC一同成立的合资企业的计划。这家

NEC Hitachi存储器将为在20014月前生产0.13微米同步DDR

DRAM而共享开发和生产资源。

 

Hyundai Electronics America

Hyundai MicroElectronics Group of Hyundai Electronics Industries

3101 N. First St.

San Jose, Calif. 95134

(408) 232-8000

www.hea.com

进展

Hyundai微电子公司去年开始交付多种单倍速率SDRAMDDR

SDRAM。在1月份,该公司开始提供针对图形、网络和消费应用的43166183MHz

2M×32 DDR SDRAM的样品。去年12月,该公司宣布可以供应2M×32

200MHz SDRAM,这些产品采用0.22微米工艺生产的,可工作于3.3V8月份,该公司开始提供128Mbit

DDR SDRAM样品。

计划

Hyundai公司称,在今年余下的时间里,该公司将继续推进其DDR

SDRAM的生产,例如,2M ×32

DDR SDRAM的批量生产已在今年二季度开始。

 

Infineon Technologies Corp.

1730 N. First St.

San Jose, Calif. 95112

(888) 463-4636, (408) 501-6000

www.infineon.com

进展

Infineon称,1999年是增长的一年,其比特产量(bit

output)增加了200%,公司将此归因于为增加生产能力所作的努力。在前一年,Infineon扩大了三座工厂的生产:一是位于弗吉尼亚州

Richmond White Oak半导体工厂,这是Infineon

Technologies AGMotorola半导体产品部的合资企业;二是该公司在德国德累斯顿的工厂;三是在台湾的ProMOS技术公司的工厂,这家公司是该公司与Mosel-Vitelic的合资企业。

Infineon也已改进其工艺技术。“去年初,我们已将所有这些工厂转到使用0.2微米或更小的工艺,”事业计划副总裁Hans-Petr

Bette说,“由于采用了先进的技术,我们不仅可以提高我们的总体生产能力,还可以显著增加每个晶圆上的裸片的数量,从而使比特量增长200%。”

Infineon宣称,通过使产品瞄准高端PC和服务器,该公司正在雄心勃勃地向256

Mbit的舞台进军。该公司说,其在德累斯顿的工厂已生产了超过100万个器件。

计划

Infineon不能对其计划发表评论。

 

Micron Technology Inc.

8000 S. Federal Way

P.O. Box 6

Boise, Idaho 83707

(208) 368-4400

www.micron.com

进展

去年,Micron的很大一部分注意力放在将TI的存储器分部合并到其自己的企业内。1998年底,Micron买下了TI的存储器业务,包括TI全资所有的在意大利Avezzano、德州Richardson的两家工厂,和TI在日本和新加坡的合资企业内的股份,以及在新加坡的一家装配和测试企业。

该公司说,公司将继续改进工艺技术,采用0.18微米工艺,并正在进行转向0.15微米的研究和开发。

Richardson在去年也推出了多种DDR

SDRAM产品,包括2.5V100133MHz128Mbit的器件及一种2.5V133MHz6?Mbit产品。该公司说,已开始提供356400MHz128144Mbit

RDRAM器件的样品,以及6?96128

Mbyte Rambu嵌入式存储模块的样品。

计划

Micron 说,该公司来年将继续寻求降低成本和保持竞争力的途径。该公司将使其生产线集中于生产128Mbit

DDRRambus DRAM

 

Mitsubishi Electronics America Inc.

Electronic Device Group

1050 E. Arques Ave.

Sunnyvale, Calif. 94086

(408) 730-5900

www.mitsubishichips.com

进展

Mitsubishi的电子器件部门称,他们今年专注于开发最新的技术。该公司在1月份开始提供一种符合JEDEC标准并进行了注册的512Mbyte

DIMM样品,这种器件符合PC266PC200要求,主要用于高端服务器、工作站和PC

该公司在去年11月宣布可以供应采用0.18微米CMOS技术生产的256Mbit

PC266 DDRPC133常规SDRAM。此公司还与Vanguard

International Semiconductor(VIS)公司和Powerchip

Semiconductor公司(PSC)结成战略伙伴关系。“我们已经宣布过,由于过去几年所遭遇的各种DRAM在财政方面的困难,公司的成长在某种程度上被局限于我们自己的工厂之内,”市场助理副总裁Cecil

Conkle说,“因此,我们现在更重视通过外购方式进行扩张。”

6月份,Mitsubish宣布了一项协议,在此协议下,Mitsubish将向VISPSC转让DRAM生产技术。该公司说将向其合作伙伴提供0.200.18微米DRAM生产工艺技术。

计划

未来及个月内,Mitsubishi将致力于转到0.18微米的生产工艺,明年转到0.15微米。新产品的目标将是DDRRambusPC133器件。

 

NEC Electronics Inc.

2880 Scott Blvd.

Santa Clara, Calif. 95050

(408) 588-6000, (800) 366-9782

www.necel.com

进展

NEC说,该公司极为专注于SDRAM,这种产品占其生产的最大一部分。为了改进这些产品的质量并降低成本,该公司大大缩小了其128

Mbit SDRAM裸片的尺寸。现已可以提供一种0.20微米型号的样品,且该公司宣称将在今后的两三个月内提供0.18微米型号的样品。NEC也已开始生产128

Mbit DDR DRAM

计划,

该公司称,NEC将在今年夏季开始将其6?Mbit同步产品向更高密度转移,主要包括128Mbit

DDRSDRAMRambusNEC说,到今年年底将开始提供更高密度的DRAM,包括256288Mbit器件。2002年,该公司将在其位于加利福尼亚Roseville的工厂内建立一条专用于G级技术的G-Line生产线。

 

Oki Semiconductor

785 N. Mary Ave.

Sunnyvale, Calif. 94086

(408) 720-1900

www.okisemi.com

进展

该公司发言人说,Oki再次明确其作为通信产品供应商的长期传统,该公司最为著名的产品是其10Gbit/s光纤器件。Oki已经脱离常规的DRAM,

其存储器业务目前集中于针对数据通信和电信系统的专用存储器。

计划

为了继续扩大其通信产品的供应能力,Oki将推进其高速光纤产品、网络和电信IC,以及单芯片系统开发平台。

 

Samsung Semiconductor Inc.

3655 N. First St.

San Jose, Calif. 95134-1713

(408) 544-4124

www.samsungsemi.com

进展

去年,Samsung扩大其供应范围,产品包括RambusPC133DDR器件。“为使我们的产品组合不再单一,我们准备了两年,”市场和电子商务副总裁Bob

Eminian说,“我们是唯一一家能够大规模生产PC100DDR、和Rambus

SDRAM产品的公司。”除了在今年夏季交付一种133MHz

SDRAM外,该公司在四季度还开始供应128Mbit

RambusDDR产品。Samsung于今年早些时候开始提供288

Mbit Rambus器件的样品。

Samsung已将其DRAM系列转向0.180.17微米工艺,向0.15微米的转移正在进行,此公司在韩国的一家新工厂也于今年早些时候破土动工建设。

计划

Samsung将调整其进入多个市场的计划。“今年将是精通制造、降低成本、推出新产品的一年。”Eminian说。他还补充说,该公司将把200333MHzDDR

SDRAM添加到其产品目录中,并扩大PC133Rambus器件的生产。

 

Toshiba America Electronic Components Inc.

9775 Toledo Way

Irvine, Calif. 92618-1811

(949) 455-2000

www.toshiba.com/taec

进展

Toshiba在这一年继续专注于新技术,“相当一段时间以来,我们的战略是集中于前沿产品。”ToshibaDRAM产品业务开发工程师Jim

Eldridge说。

Toshiba推出了包括DDRRambus和同步产品在内的全系列高性能128MHz器件,并正在改进其工艺技术。“我们已经100%采用0.2微米工艺,并正在朝0.175微米推进,”Eldridge说。该公司在1月份发布了一种用新工艺制造的新型256Mbit

SDRAM的样品。Toshiba还推出了一种针对其288Mbit

Rambus DRAM的体系结构,此类DRAM正在新生产线上进行样品生产。

计划

Toshiba将在所有系列产品中添加256MHz器件,并开始其288Mbit

RDRAM的大规模生产。

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