2000年半导体工业展望:存储器

上网时间: 2000年01月01日? 作者:James Jiang? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:半导体? semiconductor? 展望?

网络、移动电话、PC等信息通讯产品的快速增长将带动存储器需求的增长。存储器行业在新的技术领域,如单电子存储和铁磁介质存储领域有了新的研究成果,但是,未来10年存储器市场仍然以传统DRAM为主,今后DRAM的年复合增长率还将达到50%。

6?Mb DRAM的需求将显著上升,到2000年达到顶峰。128Mb DRAM将占有2000年PC/笔记本电脑市场的大部分分额,比1999年增加6?7倍。服务器市场所用的256Mb DRAM情况与128Mb DRAM相同,到2000年底其销售量会超过一亿片。Infineon亚太区存储器行销部副总经理汪福波说:“今后存储器件的年增长率将在70%左右。存储器最大的消费群将是PC/笔记本电脑市场,将占所有DRAM销售量的50%。”

由于Intel已推出支持RDRAM的820芯片组,RDRAM将成为下一代PC的主流内存选择。到2000年,128M Rambus DRAM将增长70%。

“2000年,RDRAM将满足特定的市场需求,而双倍数据率(double data rate, DDR) DRAM内存将占有越来越大的市场份额。从2000年下半年起DDR DRAM会批量上市场,到第四季度市场才有需求。2000年下半年DRAM可能会供不应求”汪福波说。

另外,为适应数码相机、MP3播放机以及具有Internet浏览和收发电子邮件功能的网络化手机的爆炸性增长,闪存市场将面临起飞。为了满足网络时代的要求,特别是手机、基站、Internet高速数据通信的发展要求,SRAM向智能化、高速化、大容量方向发展。由于采用了永久性铁磁性材料,SRAM将更为可靠。

“中国在手机、基站、Internet高速数据通信方面将有大发展,路由器的速率发展也很快,数据通信要求存储器的速率越来越快,传统SRAM适应不了要求。SRAM必须向智能化和高速化方向发展。”IDT亚洲有限公司中国/香港地区业务经理关志光说。

市场调研公司Cahners In-Stat存储器部首席分析师Steve Cullen说:“今后十年,DRAM仍将主要用于计算机领域,只是重心在某种程度上从桌面PC移向手提电脑、掌上设备和服务器。而包括数字相机、HDTV、机顶盒在内的消费领域将是DRAM增长最快的部分。”

DRAM是未来的主要存储器

电脑、网络通信要求更高速率的数据交换能力,这将带动DRAM产业的增长,RDRAM、DDR DRAM、支持绘图功能的智能DRAM芯片组即是最新的成果。存储器行业在新的领域,如单电子存储和铁磁存储介质领域进行了新研究,但是,未来10年存储器市场仍然以传统DRAM为主,DRAM的存储密度将达到4Gbit。新的加工技术,例如半球形单元和铜线连接将进一步提高DRAM的密度和性能。未来大容量、高速DRAM将满足工业和消费市场各种各样的图象应用。

2000年半导体工业展望:存储器_ESMCOL_1

关志光
IDT中国/香港区业务经理

“过去10年DRAM的年复合增长率约为70%,而未来10年,DRAM的年复合增长率还将达到50%。DRAM行业的利润会在2003年达到一个高峰,2004或2005年为低谷,到2010年止还会有一个更完整的循环周期。”Steve Cullen说,“目前DRAM行业所面临的技术挑战是向300mm晶片过渡,突破0.1μm的技术壁垒。”

DRAM的研发重点将是如何提高DRAM的存储密度(256Mb及以上)和数据交换速率。其它新的特性,如虚通道和快周期将变得越发重要,另外,DRAM还将继续降低功耗,以进一步满足人们对更长工作周期及便携式设备的需求。

“存储器仍然是2000年后半导体工业的重要组成部分。Infineon的主要精力将继续投入到动态存储器和嵌入式存储器,如集成了逻辑电路的较大存储器模块。”汪福波说。

IDC对全球DRAM市场展望指出,由于通信产品需求激增,2000年DRAM市场将增长70%。其中,128M Rambus DRAM(RDRAM)增长率高于16、6?和256M产品,增长可望超过10倍。

PC、移动电话、网络等网络信息通信产品的快速增长是带动DRAM需求增长的主要因素;2000年PC总产量将较1999年增加30%。非PC产品性能要不断提升,所需内存容量将日趋扩大。移动电话、PCS等无线Internet网络产品的增长率将高于PC。目前以语音为主的移动通信将随着GPRS(GSM)、HDR(CDMA)等2.5G技术的进步迅速融入Internet。2000年移动电话用半导体市场将达120亿美元左右,增长约20%,2003年可望达160亿美元。

Rambus DRAM是PC133的主流选择

由于Intel对Rambus的大力推广以及Rambus技术自身的完善,Rambus DRAM将会占有60%的PC市场。到2002年Rambus DRAM将牢牢地占据PC市场。RDRAM有明显的带宽优势,它能较好地满足目前处理器对数据的需求。

尽管Intel一改以往强迫业界厂家采纳Rambus DRAM的做法,决定凡是客户们看好的内存规格,它都将尽全力予以支持,同时Intel正在加紧开发PC133 SDRAM内存,填补Rambus和820芯片组推迟上市后出现的市场真空,并表示支持PC133的产品将于2000上半年问世。但是,Intel公司认为:Rambus DRAM确实是下一代内存标准的最佳解决方案,并将加强从SDRAM到Rambus DRAM的过渡工作。

目前手机、PDA和PC将推动存储器市场增长。PC的广泛应用将使多种内存(如SDRAM、RAMBUS和DDR)共存。

闪存市场面临起飞

1999年全球MP3播放机将销售130万台,对MP3闪存卡的需求将达到520万片。闪存卡供应商正等待全球市场的起飞,MP3音乐狂热是一种全球性现象,这是存储器行业发生突破性增长的一次机遇。闪存市场将被分为主多媒体卡和智能媒体卡两部分。

到2002年,数字相机将消耗2亿3千1百万美元的DRAM和闪存。今后数字相机的数字胶片将以闪存为主,基于闪存的数字胶片其销售量到2002年将快速增长到797,000MB,年增长率为110%。另外,基于闪存的IC货币的增长率会高于数字胶片。

“随时、随地”连接的概念将使得数字蜂窝电话和PCS移动电话到2003年以每年17%的速度增长,而移动电话所需的内存将以32%的速度增长。内存高速增长的动力是无线数据连接,即email,Internet浏览以及多模电话。今后几年,移动电话将在数字基带或模拟基带上集成LNA、混合器和编解码器,在模拟基带上集成电源管理功能。分立、分离式闪存和SRAM将过渡为闪存和SRAM堆叠在一起,从而满足制造商制造不同机型时对存储器密度、多样性和灵活性的要求。

Dataquest公司预测,2002年快闪存储器的全球市场规模将达到1998年的两倍。闪存的主要生产商之一的日本东芝公司计划于今年年底之前将6?MB存储器的月产量提高至100万枚,将128MB与256MB存储器的月产量提高至70万枚。

2000年半导体工业展望:存储器_ESMCOL_2

梁明成
茂矽晶圆厂副总经理

“在五年内,闪存预期会取代存储器的许多应用,如取代SDRAM,部分取代DRAM,6?M以上高档闪存会取代磁带,由于闪存方便搜索,可储存声音、图象,成为消费品,是取代软盘的最佳选择。”台湾茂矽电子股份有限公司晶元厂副总经理梁明成说。

闪存容量在提高。为适应数码相机、MP3播放机以及具有Internet搜索和电子邮件功能的上网手机等市场的高速增长,三星电子公司开发成功1Gb NAND闪速存储器样品,并在NAND闪速存储器中首次应用了0.15μm技术。三星512Mb闪速存储器和128Mb智能Media卡将于2001年投入批量生产。作为个人数字产品的关键部件,NAND闪速存储器市场正在以每年70%的增长速度迅速扩张,销售额也将从1999年的4亿美元发展到2002年的22亿美元。

另外,一种新型的USB闪存将蚕食传统软盘市场。USB闪存储器只有一只拇指大小,暂时只有8M、16M、32M3种类型。根据摩尔定律,其电脑的硬盘容量和CPU速度每18个月翻一番,但是软盘驱动器却在五年内仍无任何进展。市场上虽有各种ZIP驱动器,但价格在800-1200元之间,价格偏高,并且存在速度慢,标准不统一等缺点,故不易普及。而USB闪存速度快,体积小,兼容性好,携带方便,容量大,最多可同时接25个同类型存储器等优点。

SRAM向智能化、高速化发展

在通信用存储器和高速表态随机存取存储器方面,许多公司有新的突破。IDT公司新推出的SRAM在两个方面超越了传统的同步脉冲静态存储器,即通过消除无效周期,提高系统带宽,同时降低通信系统设计对系统计时的要求。新的智能ZTB静态存储器为4Mb,有200MHz流水线型和7.5(flow-through)两个型号。所有的存储器可向下兼容IDT现有的ZBT SRAM。智能ZBT SRAM特别适用于频率为133MHz以下、采用ASIC技术的系统。

IDT亚洲有限公司中国/香港地区业务经理关志光说:“亚洲的系统设计人员大多采用先进的专用集成电路(ASIC)技术,智能ZBT SRAM能使这类设计的总线达到100%的工作效率,同时又能避免总线拥塞现象。新存储器将加强我们解决系统级设计的能力。智能ZBT SRAM对系统要求低,时钟速度200MHz,对逻辑电路要求不太高。IDT今后将发展适用于数据传输的智能ZBT SRAM和四倍速(Quad Data Rate, QDA)SRAM(>200MHz)。”

智能ZBT

SRAM超越了传统的同步脉冲静态存储器,其输出接入不受工作流程、电压或温度的影响,这一特点能降低系统计时的要求,因而系统无需猜测SRAM何时接入系统总线。由于它简化了系统计时要求,减少了多芯片同时使用同一个系统总线的可能性,新的SRAM可满足设计人员对高性能存储器的需要,并将用于各种网络产品。

今后IDT发展的将是130M ZBT、智能ZBT SRAM和QDR SRAM。QDR SRAM会在2000年中推出,用于数据通信、价格比较敏感的应用,如数据率在200MHz以上的下一代交换机和路由器。关志光说:“存储器市场需求增长很快,如新型FIFO(用于基站),DUAL PORT,特别是SRAM(如ZBT)等,每年增加超过20%。”

FRAM将异军突起

FRAM 是一种采用铁磁性材料作为存储介质的随机存储器。由于铁磁性材料是非易型存储介质,所存储的信息具有永久性和高度的可靠性,适用于各种高级应用场合,将受到广泛应用,是存储器的一种新的发展方向。

“未来10年存储器制造工艺不断地缩小至0.13?0.1μm,非易失存储器如闪存也面临窗口瓶颈问题,解决的办法是采用磁性材料。一是用铁磁性材料,如磁铁,另一是用有机物,这两类闪存会是未来的主导闪存,采用磁性材料的闪存所存储的信息是永久性的,可靠性大大提高,可取代任何存储器(如SDRAM,DRAM)用于高可靠场合。”梁明成说。

三星电子开发的4MB铁介质随机存储器(FRAM)结合了DRAM、SRAM和闪存的技术优势,应用1T/1C及COB技术,体积减少一半。采用FRAM将减小相关设备的体积。FRAM同时具有SRAM的快速数据处理能力和快闪存储器的稳定性,可应用于传统采用DRAM的数据存储应用领域。该4MB FRAM适用于移动电话和其它携式多媒体产品,包括移动手机、PDA、智能电话和智能卡等领域。预计到2005年,世界FRAM市场将至少增长为每年150亿美元。

IDT亚洲有限公司

传真:852-2375 2677

电话:852-2736 0122

E-mail: akwan@idt.com

梁明成 晶元厂副总经理台湾茂矽电子股份有限公司

传真:886-3-577 0851

电话:886-3-579 2812

E-mail: mike_liang@mail.mosel.com.tw

汪福波副总经理

Infineon亚太区存储器行销部

传真:65-842 9454

电话:65-840 0688

E-mail: Hock-Pho.Ang@infineon.com

Steve Cullen 存储器首席分析师

Cahners In-Stat Group

传真:1-508-359 8356

电话:1-508-359 5825

E-mail: slcullen@sprynet.com

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