台积电完成0.13微米铜工艺研发工作

上网时间: 2000年07月24日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:copper? process?

台积电(TSMC)利用4MB SRAM为工具,成功完成了0.13微米铜工艺试产,其中包括CVD、FSG与Spin On等三种不同的工艺方式。

据台积电表示,台积电在三月份便已经利用0.13微米铜工艺成功开发出4MB SRAM。但由于0.13微米的主流市场共有CVD、FSG与Spin On等三种工艺,因而在未得到完全研发结果前暂不公布。三种工艺中,Spin on可支持更低的K值,是0.13微米运用在系统级芯片(SOC)中的重要技术,但由于它在0.25至0.18微米工艺中未曾采用,因而在研发时必须考虑到剥落、裂缝以及后段封装、测试的问题。台积电表示,只有在各项制程与验证参数都完成后,才会对外公布研发情况。

此外,台积电表示目前三种机械设备都已有厂商完整提供,采用何种0.13微米铜工艺的机器设备,等各种数据完全确定后便可定案。


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