采用金属多晶硅工艺的MOSFET

上网时间: 2000年07月01日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:低导通电阻? MOSFET? POWER MOS V?

Advanced Power Technology(APT)的低导通电阻、快速开关MOSFET家族POWER MOS V添加新成员。该新器件具有较高的电压、较低的导通电阻,采用TO-26?和T-MAX封装。

APT的MOSFET采用金属多晶硅工艺,具有内部芯片栅极电阻。与标准的多晶硅栅极器件相比,开关速度快、噪声低。具体特性如下:100-1200V的击穿电压、9-60毫欧姆的导通电阻、20-100安培的耗尽电流、625W的功率耗散和较低的内部栅极电阻。

另外,APT也供应FREDFET版本的MOSFET产品,它具有快速内部二极管。该系列器件的应用领域包括DC/DC转换器、功率因素纠正(PFC)前置稳压器、开关电源、UPS、马达控制和反相器等。100-1200V的器件有样品供应,批量1千只以上,价格约在18.06-26.83美元之间。


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