APT高功率500V MOSFET具有极低的开关损耗和门电荷

上网时间: 2000年07月06日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:APT? MOSFET?

Advanced Power Technology(APT)公司扩展了其新的低电容、低门电荷MOSFET系列器件,称为POWER MOS VI。它采用APT专有的聚合硅门上金属 (metal on polysilicon gate)结构,其内部门阻抗比业界标准的聚合硅门器件低一个数量级。

POWER MOS VI特性如下:500V崩溃电压;50-200mΩ导通电阻;26-77A泄电流;快速切换低阻抗和低损耗;较低的内部门阻抗;易于门驱动的低门电荷。这些特性的组合使得该系列器件具有特别快的开关性能,低门电荷极大地减少了门驱动电路的压力,从而提高了电路可靠性和效率,并降低了成本。


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