导通电阻值仅为15mΩ的双N沟道MOSFET

上网时间: 1999年11月01日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:非对称M双N沟道MOSFET? 功率器件? FDS6982?

Fairchild Semiconductor推出非对称双N沟道MOSFET器件FDS6982,可取代两只传统SO-8型封装的MOSFET。新器件内部采用非对称结构,特别适用于采用电池供电而要求在线损耗低、切换速度快的应用,如笔记本电脑中用来产生外设供电电压的DC/DC转换器。

该器件采用先进的PowerTrench工艺制造,集成了两只MOSFET,使电池供电应用中同步转换器的总体转换效率达到最大。用于高侧开关的MOSFET开关损耗极低,而低侧的MOSFET开关几乎具有导通状态的损耗,导通电阻值RDS(ON)仅为15mΩ(VGS=10V时)。

订购批量为1千只的美国交货单价为0.95美元。

Fairchild Semiconductor

电话:(852) 2722 8338 香港

E-mail: raymond.kwok@fairchildsemi.com

网址:www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDS6982.html


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